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论文类型：期刊论文

发表时间：2010-06-20

发表刊物：功能材料

收录刊物：PKU、ISTIC

卷号：41

期号：z1

页面范围：117-120

ISSN号：1001-9731

关键字：冶金级硅;电子束熔炼;钙;蒸发行为

摘要：通过双枪电子束熔炼炉熔炼冶金级硅,主要研究了在一定熔炼功率不同熔炼时间下,杂质Ca含量的变化及其蒸发行为,讨论了杂质Ca含量与Si剩余率的关系.实验结果表明,熔炼初期杂质Ca含量显著降低,随着熔炼时间的延长,下降趋势逐渐减缓.在硅熔体表面2133K温度下,杂质Ca的自由蒸发反应遵循一级反应速率方程.杂质Ca的总传质系数为2.64×10-5m/s,并且杂质Ca从熔体内部迁移到硅熔体/气相界面层是其蒸发过程的速率控制步骤.