专利
一种高纯硅衬底下电子束熔炼多晶硅的方法及设备
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  • 第一作者:谭毅
  • 发明设计人:刘应宽,盛之林,李佳艳,石爽,刘振远,董伟,姜大川
  • 授权日期:2011-08-03
  • 授权号:201110220767.1

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