English
Open Menu
首页
科学研究
返回上一级
科研项目
著作成果
专利
论文成果
研究领域
教学研究
返回上一级
教学成果
授课信息
教学资源
获奖信息
返回上一级
其他奖励
学术荣誉
科研奖励
招生信息
学生信息
我的相册
教师博客
董伟
个
专利
一种高纯硅衬底下电子束熔炼多晶硅的方法及设备
点击次数:
第一作者:
谭毅
发明设计人:
刘应宽,盛之林,李佳艳,石爽,刘振远,董伟,姜大川
授权日期:
2011-08-03
授权号:
201110220767.1
上一条:
连续熔炼去除多晶硅中磷和硼的方法及装置
下一条:
真空感应熔炼去除硅粉中磷及金属杂质的方法和装置
个人学术主页