Release Time:2019-11-04  Hits:

Indexed by: Journal Papers

Date of Publication: 2019-08-23

Journal: 机电工程技术

Volume: 48

Issue: 8

Page Number: 26-28

ISSN: 1009-9492

Key Words: 薄膜铂热电阻;退火工艺;内部应力;灵敏度;线性度

Abstract: 合理的退火工艺可有效改善薄膜铂电阻的热阻参数.为了探究退火工艺对于薄膜铂电阻热阻特性的影响,探究了陶瓷基底上由磁控溅射工艺制备出的宽度为60μm,高度为300 nm的铂热电阻,在经过不同的退火工艺处理后,其灵敏度、线性度的变化规律.结果表明:在500～600℃之间,退火温度越高,灵敏度越大,线性度越好;当退火温度大于500℃,保温时间的延长会使灵敏度降低,线性度变差;基底粗糙度的增大更易于获得灵敏度大的铂薄膜.所探究出的退火工艺可有效改善薄膜型铂电阻传感器的热阻特性,具有很好的参考价值.