Release Time:2019-11-04  Hits:

Indexed by: Journal Article

Date of Publication: 2019-05-10

Journal: 核技术

Included Journals: PKU

Volume: 42

Issue: 5

Page Number: 050501

ISSN: 0253-3219

Key Words: 4H-SiC;肖特基二极管;γ射线;探测器;电学特性;能量分辨率

Abstract: 碳化硅材料因其禁带宽度大、晶体原子离位能高等物理特性,被视为制作耐高温、抗辐射器件极具代表性的宽带隙半导体材料.为观察辐照对4H-SiC肖特基二极管带电粒子探测器的电学特性及对α粒子响应的能量分辨率的影响.利用60Co源的γ射线对4H-SiC肖特基二极管探测器进行辐照实验.经过总剂量为1 000 kGy的γ射线辐照后,探测器的正向电流相较于辐照前减小了三个数量级;反向电流值在0~120 V偏压下没有明显变化,当反向偏压高于120 V时,反向电流值变化明显.同时,辐照前后对α粒子的能量分辨率没有明显变化.