Release Time:2020-06-02  Hits:

Indexed by: Journal Papers

Date of Publication: 2020-01-01

Journal: 大连理工大学学报

Volume: 60

Issue: 2

Page Number: 137-141

ISSN: 1000-8608

Key Words: 高电子迁移率晶体管;欧姆接触;退火;比接触电阻率

Abstract: 利用热蒸发方法制备了Ti/Al金属双层结构的AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)欧姆接触,Ti与Al比例分别为1:2(20 nm/40 nm)、1:5(20 nm/100 nm)和1:8(20 nm/160 nm).采用相同退火时间、不同退火温度对不同的Ti与Al比的AlGaN/GaN HEMT结构进行退火.通过XRD对电极结构进行了分析,利用金相显微镜观察了电极的表面形貌.实验结果显示,相同退火时间条件下,退火温度在800℃,Ti与Al比为1:5的AlGaN/GaN HEMT结构形成了较好的欧姆接触.