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Indexed by:期刊论文

Date of Publication:2011-10-15

Journal:发光学报

Included Journals:EI、PKU、ISTIC、CSCD、Scopus

Volume:32

Issue:10

Page Number:1020-1023

ISSN No.:1000-7032

Key Words:ZnMgO薄膜;p型掺杂;MOCVD

Abstract:利用GaAs夹层掺杂的新方法,采用金属有机化学气相沉积(MOVCD)技术,通过控制生长温度,在蓝宝石衬底上成功制备出As掺杂的p型ZnMgO薄膜.利用X射线衍射分析(XRD)、霍尔效应测试和光致发光(PL)谱等表征方法对薄膜的晶体结构、电学性能和光学特性进行分析.结果表明:高温生长的ZnMgO薄膜具有良好的c轴取向性；480～ 520℃时所制备的ZnMgO薄膜为p型导电,500℃时所制备的样品电阻率最低,为26.33 Ω·cm,空穴浓度达1.638×1017 cm-3,迁移率为1.45 cm2/(V·s)；室温PL谱显示,制得的p型ZnMgO薄膜具有较大的紫外与可见发光峰强度比,表明其具有良好的光学性能.