Release Time:2019-03-10  Hits:

Indexed by: Journal Article

Date of Publication: 2011-10-15

Journal: 发光学报

Included Journals: Scopus、CSCD、ISTIC、PKU、EI

Volume: 32

Issue: 10

Page Number: 1020-1023

ISSN: 1000-7032

Key Words: ZnMgO薄膜;p型掺杂;MOCVD

Abstract: 利用GaAs夹层掺杂的新方法,采用金属有机化学气相沉积(MOVCD)技术,通过控制生长温度,在蓝宝石衬底上成功制备出As掺杂的p型ZnMgO薄膜.利用X射线衍射分析(XRD)、霍尔效应测试和光致发光(PL)谱等表征方法对薄膜的晶体结构、电学性能和光学特性进行分析.结果表明:高温生长的ZnMgO薄膜具有良好的c轴取向性；480～ 520℃时所制备的ZnMgO薄膜为p型导电,500℃时所制备的样品电阻率最低,为26.33 Ω·cm,空穴浓度达1.638×1017 cm-3,迁移率为1.45 cm2/(V·s)；室温PL谱显示,制得的p型ZnMgO薄膜具有较大的紫外与可见发光峰强度比,表明其具有良好的光学性能.