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Indexed by:期刊论文

Date of Publication:2012-09-15

Journal:发光学报

Included Journals:Scopus、EI、PKU、ISTIC

Volume:33

Issue:9

Page Number:934-938

ISSN No.:1000-7032

Key Words:MOCVD;ZnO/Au/ZnO(ZAZ)多层膜;射频磁控溅射;退火温度

Abstract:采用金属有机化学气相沉积(MOCVD)技术在蓝宝石衬底上制备出晶体质量较好的透明导电的ZnO/Au/ZnO (ZAZ)多层膜,其中,Au夹层是通过射频磁控溅射的方法获得.通过对Au夹层进行不同温度的退火处理,研究了Au层退火温度对ZAZ多层膜的结构特性、电学性能和光学特性的影响.利用原子力显微镜( AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)仪、霍尔效应测试和透射谱分析等测试手段对ZAZ多层膜的性质进行了分析.测试结果表明,在200℃下对Au夹层进行快速退火处理,多层膜的结构、电学和光学性质达到最优,表面等离子体效应也更明显.其中,XRD(002)衍射峰的半高宽为0.14°,电阻率为2.7×10-3Ω·cm,载流子浓度为1.07×1020 cm-3,可见光区平均透过率为75.3％.