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姜大川

Associate Professor
Supervisor of Master's Candidates


Title : 中国产学研合作促进会常务理事
Gender:Male
Alma Mater:大连理工大学
Degree:Doctoral Degree
School/Department:材料科学与工程学院
Discipline:Materials Science
Business Address:新三束实验室209
Contact Information:0411-84709784
E-Mail:jdc@dlut.edu.cn
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冶金法制备太阳能级多晶硅的耦合除杂研究

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Indexed by:期刊论文

Date of Publication:2017-03-01

Journal:无机材料学报

Included Journals:EI、SCIE、CSCD

Volume:32

Issue:3

Page Number:281-286

ISSN No.:1000-324X

Key Words:工业硅;介质熔炼;定向凝固;电子束熔炼

Abstract:以工业硅为原料,利用介质熔炼、定向凝固和电子束熔炼三种熔体处理技术对工业硅中的B、P和金属杂质进行了去除,制备出了99.9999%级多晶硅材料,其中,杂质B和P的含量分别低于0.20 ppmw(parts per million(weight),百万分之一质量),金属杂质总含量(TM)低于0.23 ppmw.研究发现,介质熔炼去除杂质B的过程中,熔体中发生氧化还原反应可以有效去除大部分的杂质Al和Ca;电子束熔炼过程中,利用饱和蒸气压原理可以有效去除挥发性杂质P、Al、Ca,同时降束诱导多晶硅定向凝固,可将其他金属杂质进一步去除.本研究通过各技术间的耦合除杂,减少了冶金法提纯多晶硅的工序,为连续化、规模化生产提供了技术支撑.