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专利名称：一种超临界二氧化碳脉冲可控生长二维半导体薄膜的方法

第一作者：徐琴琴

发明设计人：王启博,银建中,柳宝林,王志刚

所属单位：化工学院

申请日期：2020-09-11

申请号：202010950444.7

授权日期：2021-09-24

授权号：ZL 202010950444.7

发布时间：2026-03-13