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个人信息Personal Information
教授
博士生导师
硕士生导师
性别：男
毕业院校：中科院上海硅酸盐研究所
学位：博士
所在单位：物理学院
学科：微电子学与固体电子学. 凝聚态物理
办公地点：大连理工大学科技园C座301-1办公室
联系方式：E-mail:jmbian@dlut.edu.cn.
电子邮箱：jmbian@dlut.edu.cn
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基于低温生长n-ZnO电子注入层的InGaN黄绿光发光二极管的制备与研究
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论文类型：会议论文
发表时间：2010-10-25
页面范围：458-460
关键字：金属有机化学气象沉积;n-ZnO薄膜;InGaN/GaN多量子阱;发光二极管
摘要：本文通过500℃低温金属有机化学气相沉积(MOCVD)在MQWs/p-GaN外延层上生长n—ZnO薄膜,并制得n-ZnO/MQW/p-GaN异质结发光二极管。电致发光(EL)下该异质结表现出典型的二极管整流特性,正向开启电压约15V。小电流(<30mA)注入时,可明显得到InGaN/GaN multi-quantum-wells(MQW)的黄绿发光峰。且随着电流增大,发光强度增大。通过对比n—ZnO/MQW/p—GaN异质结EL光谱和MQW/p—GaN的光致发光(PL)光谱,证明n-ZnO薄膜作n型层的n-ZnO/MQW/p—GaN异质结成功实现了量子阱阱层的发光,并观测到随注入电流在一定范围内增加,MQW的发光强度增加。