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个人信息Personal Information
教授
博士生导师
硕士生导师
性别：男
毕业院校：中科院上海硅酸盐研究所
学位：博士
所在单位：物理学院
学科：微电子学与固体电子学. 凝聚态物理
办公地点：大连理工大学科技园C座301-1办公室
联系方式：E-mail:jmbian@dlut.edu.cn.
电子邮箱：jmbian@dlut.edu.cn
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脉冲激光沉积法在p型GaAs衬底上制备ZnO同质结发光二极管
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论文类型：会议论文
发表时间：2008-11-30
页面范围：408-411
关键字：氧化锌 同质结 发光二极管 脉冲激光沉积 整流特性 电致发光
摘要：通过脉冲激光沉积技术在p型GaAs衬底上制备了ZnO同质结发光二极管。非掺杂的ZnO作为器件的n型层,p型ZnO层通过衬底中的As向ZnO中扩散与退火形成。Ⅰ-Ⅴ曲线显示出较好的整流特性。室温正偏压下实现了可见光中心位置为500nm的电致发光。同时,也讨论了电致发光的起源。