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个人信息Personal Information
教授
博士生导师
硕士生导师
性别：男
毕业院校：中科院上海硅酸盐研究所
学位：博士
所在单位：物理学院
学科：微电子学与固体电子学. 凝聚态物理
办公地点：大连理工大学科技园C座301-1办公室
联系方式：E-mail:jmbian@dlut.edu.cn.
电子邮箱：jmbian@dlut.edu.cn
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脉冲激光沉积(PLD)法生长高质量ZnO薄膜及其发光性能
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论文类型：期刊论文
发表时间：2006-12-30
发表刊物：发光学报
收录刊物：PKU、ISTIC、CSCD
卷号：27
期号：6
页面范围：958-962
ISSN号：1000-7032
关键字：ZnO薄膜;脉冲激光沉积;光致发光
摘要：采用脉冲激光沉积(PLD)法在单晶Si(100)衬底上生长ZnO薄膜,以X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和透射电镜(TEM)等手段分析了所得ZnO薄膜的晶体结构和微观形貌.优化工艺(700 ℃,20 Pa)下生长的ZnO薄膜呈c轴高度择优取向,柱状晶垂直衬底表面生长,结构致密均匀.室温光致发光(PL)谱分析结果表明,随着薄膜生长时O2分压的增大,近带边紫外发光峰与深能级发光峰之比显著增强,表明薄膜的结晶性能和化学计量比都有了很大的改善.O2分压为20 Pa时所生长的ZnO薄膜具有较理想的化学计量比和较高的光学质量.