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黄明亮
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教授   博士生导师   硕士生导师

性别: 男

毕业院校: 大连理工大学

学位: 博士

所在单位: 材料科学与工程学院

学科: 材料学. 功能材料化学与化工. 化学工程

办公地点: 材料楼330办公室

联系方式: 0411-84706595

电子邮箱: huang@dlut.edu.cn

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电迁移对Ni/Sn3.0Ag0.5Cu/Au/Pd/Ni—P倒装焊点界面反应的影响

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论文类型: 期刊论文

发表时间: 2012-08-25

发表刊物: 物理学报

收录刊物: PKU、ISTIC、CSCD

卷号: 61

期号: 19

页面范围: 503-511

ISSN号: 1000-3290

关键字: 电迁移;无铅钎料;Ni/Sn3.0Ag0.5Cu/Au/Pd/Ni-P焊点;界面反应

摘要: 本文研究了150℃,1.0×104A/cm2条件下电迁移对Ni/Sn3.0Ag0.5Cu/Au/Pd/Ni-P倒装焊点界面反应的影响.回流后在solder/Ni和solder/NiP的界面上均形成(Cu,Ni)6Sn5类型金属间化合物.时效过程中两端界面化合物都随时间延长而增厚,且化合物类型都由(Cu,Ni)6Sn5转变为(Ni,Cu)3Sn4.电迁移过程中电子的流动方向对Ni—P层的消耗起着决定性作用.当电子从基板端流向芯片端时,电迁移促进了Ni—P层的消耗,600h后阴极端Ni-P层全部转变为Ni2SnP层.阴极界面处由于Ni2SnP层的存在,使界面Cu-Sn—Ni三元金属间化合物发生电迁移脱落溶解,而且由于Ni2SnP层与Cu焊盘的结合力较差,在Ni2SnP/Cu界面处会形成裂纹.当电子从芯片端流向基板端时,阳极端Ni—P层并没有发生明显的消耗.电流拥挤效应导致了阴极芯片端Ni层和Cu焊盘均发生了局部快速溶解,溶解到钎料中的Cu和Ni原子沿电子运动的方向往阳极运动并在钎料中形成了大量的化合物颗粒.电迁移过程中(Au,Pd,Ni)Sn4的聚集具有方向性,即(Au,Pd,Ni)Sn4因电流作用而在阳极界面处聚集.

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