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黄明亮
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教授   博士生导师   硕士生导师

性别: 男

毕业院校: 大连理工大学

学位: 博士

所在单位: 材料科学与工程学院

学科: 材料学. 功能材料化学与化工. 化学工程

办公地点: 材料楼330办公室

联系方式: 0411-84706595

电子邮箱: huang@dlut.edu.cn

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当前位置: 黄明亮 >> 科学研究 >> 论文成果
Ni-P消耗对焊点电迁移失效机理的影响

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论文类型: 期刊论文

发表时间: 2013-01-11

发表刊物: 金属学报

收录刊物: SCIE、EI、PKU、ISTIC、CSCD、Scopus

卷号: 49

期号: 01

页面范围: 81-86

ISSN号: 0412-1961

关键字: 电迁移;化学镀Ni-P;界面反应;金属间化合物;失效

摘要: 研究了Cu/Sn/Ni-P线性焊点在150和200℃,电流密度1.0×10~4 A/cm~2的条件下化学镀Ni-P层消耗及其对焊点失效机理的影响.结果表明,在Ni-P层完全消耗之前,阴极界面的变化表现为:伴随着Ni-P层的消耗,在Sn/Ni-P界面上生成Ni_2SnP和Ni_3P;从Ni-P层中扩散到钎料中的Ni原子在钎料中以(Cu,Ni)_6Sn_5或(Ni,Cu)_3Sn_4类型的IMC析出,仅有很少量的Ni原子能扩散到对面的Cu/Sn阳极界面.当Ni-P层完全消耗后,阴极界面的变化主要表现为:空洞在Sn/Ni_2SnP界面形成,Ni_3P逐渐转变为Ni_2SnP,空洞进一步扩展形成裂缝,从而导致通过焊点的实际电流密度升高、产生的Joule热增加,最终导致焊点发生高温电迁移熔断失效.

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