教授 博士生导师 硕士生导师
性别：男
毕业院校：大连理工大学
学位：博士
所在单位：材料科学与工程学院
学科：材料学
功能材料化学与化工
化学工程
办公地点：材料楼330办公室
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发布时间：2019-03-10
论文类型：期刊论文
发表时间：2012-10-01
发表刊物：稀有金属材料与工程
收录刊物：Scopus、CSCD、ISTIC、PKU、EI、SCIE
卷号：41
期号：10
页面范围：1785-1789
ISSN号：1002-185X
关键字：电迁移;Ni-P;Ni;界面反应;金属间化合物
摘要：研究了温度为150℃,电流密度为5.0×103A/cm2的条件下电迁移对Ni/Sn/Ni-P(Au)线性接头中界面反应的影响.结果表明电流方向对Ni-P层的消耗起着决定作用.当Ni-P层为阴极时,电迁移加速了Ni-P层的消耗,即随着电迁移时间的延长,Ni-P层的消耗显著增加;电迁移100 h后Ni-P层消耗了5.88 μm,电迁移200 h后Ni-P层消耗了13.46μm.在Sn/Ni-P的界面上形成了一层Ni2SnP化合物而没有观察到Ni3Sn4化合物的存在,多孔状的Ni3P层位于Ni2SnP化合物与Ni-P层之间.当Ni-P层为阳极时,在电迁移过程中并没有发现Ni-P层的明显消耗,在Sn/Ni-P的界面处生成层状的Ni3Sn4化合物,其厚度随着电迁移时间的延长而缓慢增加,电迁移200 h后Ni3Sn4层的厚度达到1.81 μm.
