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Indexed by:期刊论文

Date of Publication:2010-01-01

Journal:材料研究学报

Included Journals:PKU、ISTIC、CSCD、Scopus、EI

Volume:24

Issue:5

Page Number:547-549

ISSN No.:1005-3093

Key Words:材料合成与加工工艺; 微晶硅薄膜; Ar稀释SiH4; 微波功率

Abstract:以Ar+SiH4作为反应气体,用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR
   PECVD)方法制备微晶硅薄膜,研究了微波功率对薄膜中H含量、薄膜的沉积速率、择优取向和结晶度的影响.
   结果表明,在300℃制备低温微晶硅薄膜,随着微波功率的增大,薄膜的沉积速率先增大后减小,微波功率为600
   W时达到最大;而结晶度和薄膜中的H含量则分别呈现单调增大和单调减少的趋势;使用不同的微波功率,薄膜的择优取向均为(111)方向