Release Time:2019-03-11  Hits:

Indexed by: Journal Article

Date of Publication: 2010-01-01

Journal: 材料研究学报

Included Journals: EI、Scopus、CSCD、ISTIC、PKU

Volume: 24

Issue: 5

Page Number: 547-549

ISSN: 1005-3093

Key Words: 材料合成与加工工艺; 微晶硅薄膜; Ar稀释SiH4; 微波功率

Abstract: 以Ar+SiH4作为反应气体,用电子回旋共振等离子体化学气相沉积(ECR
   PECVD)方法制备微晶硅薄膜,研究了微波功率对薄膜中H含量、薄膜的沉积速率、择优取向和结晶度的影响.
   结果表明,在300℃制备低温微晶硅薄膜,随着微波功率的增大,薄膜的沉积速率先增大后减小,微波功率为600
   W时达到最大;而结晶度和薄膜中的H含量则分别呈现单调增大和单调减少的趋势;使用不同的微波功率,薄膜的择优取向均为(111)方向