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Indexed by:期刊论文
Date of Publication:2011-01-01
Journal:材料研究学报
Included Journals:Scopus、EI、PKU、ISTIC、CSCD
Volume:25
Issue:4
Page Number:408-412
ISSN No.:1005-3093
Key Words:材料合成与加工工艺; 微晶硅薄膜; 吸收系数; 光学带隙
Abstract:以Ar+SiH4作为反应气体,采用电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积(ECR-PECVD)方法制备微晶硅薄膜,研究了基片温度对薄膜微观结构、吸
收系数、光学禁带宽度的影响.结果表明,随着基片温度的升高,薄膜的微观组织逐渐由非晶转化为微晶,薄膜的粗糙度单调增大,而H含量则单调减小。薄膜的光
学吸收系数随基片温度的升高而增大,禁带宽度由 1.89 eV降低到1.75 eV.