Release Time:2019-03-11  Hits:

Indexed by: Journal Article

Date of Publication: 2011-01-01

Journal: 材料研究学报

Included Journals: CSCD、ISTIC、PKU、EI、Scopus

Volume: 25

Issue: 4

Page Number: 408-412

ISSN: 1005-3093

Key Words: 材料合成与加工工艺; 微晶硅薄膜; 吸收系数; 光学带隙

Abstract: 以Ar+SiH4作为反应气体，采用电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积(ECR-PECVD)方法制备微晶硅薄膜，研究了基片温度对薄膜微观结构、吸
   收系数、光学禁带宽度的影响．结果表明，随着基片温度的升高，薄膜的微观组织逐渐由非晶转化为微晶，薄膜的粗糙度单调增大，而H含量则单调减小。薄膜的光
   学吸收系数随基片温度的升高而增大，禁带宽度由 1.89 eV降低到1.75 eV.