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Indexed by:期刊论文

Date of Publication:2011-01-01

Journal:材料研究学报

Included Journals:Scopus、EI、PKU、ISTIC、CSCD

Volume:25

Issue:4

Page Number:408-412

ISSN No.:1005-3093

Key Words:材料合成与加工工艺; 微晶硅薄膜; 吸收系数; 光学带隙

Abstract:以Ar+SiH4作为反应气体，采用电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积(ECR-PECVD)方法制备微晶硅薄膜，研究了基片温度对薄膜微观结构、吸
   收系数、光学禁带宽度的影响．结果表明，随着基片温度的升高，薄膜的微观组织逐渐由非晶转化为微晶，薄膜的粗糙度单调增大，而H含量则单调减小。薄膜的光
   学吸收系数随基片温度的升高而增大，禁带宽度由 1.89 eV降低到1.75 eV.