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Indexed by:期刊论文

Date of Publication:2008-02-03

Journal:半导体技术

Included Journals:PKU、ISTIC、CSCD

Volume:33

Issue:2

Page Number:117-120

ISSN No.:1003-353X

Key Words:硅衬底;电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积;多晶硅薄膜

Abstract:成功地应用电子回旋共振微波等离子体增强化学气相沉积(ECR-PECVD)法在升级冶国家重点实验室,辽宁大连 116024;2.锡根大学材料工程研究所,德国锡根 57076)金级Si衬底上175℃低温条件下沉积了一层优质多晶Si薄膜.研究了压强、流量比对多晶Si薄膜质量的影响,并用Raman、RHEED、SEM、XRD对薄膜结晶性、晶粒大小及显微组织结构进行了表征.发现在恒定气压下,结晶质量随流量比增大先变好后变差,即存在最佳流量比,0.16Pa对应10:5,而0.4 Pa对应10:6.8.