衬底氮化时间对玻璃衬底上低温沉积GaN薄膜结晶性的影响
Release Time:2019-03-10 Hits:
Indexed by: Journal Article
Date of Publication: 2009-11-20
Journal: 功能材料
Included Journals: Scopus、CSCD、ISTIC、PKU、EI
Volume: 40
Issue: 11
Page Number: 1836-1839
ISSN: 1001-9731
Key Words: GaN;氮化;ECR-PEMOCVD;玻璃衬底
Abstract: 采用电子回旋共振-等离子体增强金属有机物化学气相沉积(ECR-PEMOCVD)方法,在康宁7101型普通玻璃衬底上低温沉积氮化镓(GaN)薄膜.利用反射高能电子衍射(RHEED)、X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)和霍尔测量系统检测样品,研究了衬底氮化时间对GaN薄膜质量的影响.结果表明,氮化时间为5min时,得到的GaN薄膜呈高度c轴择优取向,结晶性较好,薄膜表面是由许多亚微米量级的表面岛按一致的取向规则堆砌而成的,薄膜表面较为平整且呈n型导电;氮化时间增加,薄膜结晶性反而变差.