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Indexed by:会议论文
Date of Publication:2008-10-01
Page Number:35-39
Key Words:氮化硅薄膜 沉积速率 表面形貌 电子回旋共振 化学气相沉积 等离子体增强
Abstract:利用电子回旋共振-等离子体增强化学气相沉积(ECR-PECVD)技术,以氮气为等离子体气源,硅烷为前驱气体在玻璃衬底上低温沉积了氮化硅薄膜.采用偏振光椭圆率测量仪、原子力显微镜(AFM)测试技术对薄膜的沉积速率、折射率、表面形貌等性质进行了测量。结果表明:采用ECR-PECVD技术能够在较低的温度下以较高的沉积速率(沉积速率达到11nm/min)沉积质量较好的薄膜.制备的薄膜表面质量较高,且粗糙度随着沉积温度和微波功率的增加而降低。
