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论文类型： 期刊论文

发表时间： 2011-01-01

发表刊物： 材料研究学报

收录刊物： Scopus、EI、PKU、ISTIC、CSCD

卷号： 25

期号： 4

页面范围： 408-412

ISSN号： 1005-3093

关键字： 材料合成与加工工艺; 微晶硅薄膜; 吸收系数; 光学带隙

摘要： 以Ar+SiH4作为反应气体，采用电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积(ECR-PECVD)方法制备微晶硅薄膜，研究了基片温度对薄膜微观结构、吸
   收系数、光学禁带宽度的影响．结果表明，随着基片温度的升高，薄膜的微观组织逐渐由非晶转化为微晶，薄膜的粗糙度单调增大，而H含量则单调减小。薄膜的光
   学吸收系数随基片温度的升高而增大，禁带宽度由 1.89 eV降低到1.75 eV.