副教授 博士生导师 硕士生导师
其他任职：辽宁省能源材料及器件重点实验室副主任
性别：男
毕业院校：大连理工大学
学位：博士
所在单位：材料科学与工程学院
学科：材料物理与化学
材料表面工程
办公地点：新三束4#楼311室
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发布时间：2019-03-12
论文类型：期刊论文
发表时间：2018-12-10
发表刊物：原子与分子物理学报
收录刊物：PKU
卷号：36
期号：2
页面范围：342-348
ISSN号：1000-0364
关键字：重掺杂;绝缘体-金属转变;临界浓度;中间带;第一性原理
摘要：基于密度泛函理论的第一性原理方法,本文旨在探索确定绝缘体-金属转变临界浓度的理论计算方法.以Co重掺杂Si为研究对象,构建并计算了10个Co不同掺杂浓度模型的晶体结构、杂质形成能及其电子性质.发现在Co掺杂Si体系的带隙中形成了杂质能级,杂质能级的位置和宽度随着Co浓度的增加呈线性变化.当Co掺杂浓度较高时杂质形成能逐渐稳定,且杂质能级穿过费米能级使体系表现出金属性.综合杂质形成能的变化趋势,以及杂质能级极小值与费米能级间的距离条件,可预测出发生绝缘体-金属转变的Co掺杂浓度为2.601(×)1020 cm-3,与实验结果相一致.上述两条依据应用于S重掺杂Si体系和Se重掺杂Si体系同样成立.
