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Indexed by:会议论文
Date of Publication:2009-07-20
Page Number:1
Key Words:容性耦合;离子能量;鞘层;电子温度;电子密度;甚高频;下电极;原子密度;放电间隙;应腔;
Abstract:双频耦合等离子体(dual-frequency capacitively coupled plasma,DF-CCP)源的主要特点是可以在低气压放电下产生大面积、高密度的均匀等离子体,尤其是这种放电技术可以独立地控制等离子体密度和入射到基片上的离子能量,即采用高频或甚高频(如60MHz)电源来控制等离子体密度,而低频(如2MHz)来控制离子能量分布。尽管这种DF-CCP源已经广泛地应用于介质刻蚀的生产线
