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发布时间：2019-03-10

论文类型：期刊论文

发表时间：2016-02-15

发表刊物：发光学报

收录刊物：CSCD、ISTIC、PKU、EI

卷号：37

期号：2

页面范围：192-196

ISSN号：1000-7032

关键字：氧化铝;原子层沉积;钝化;准稳态光电导

摘要：采用原子层沉积设备在p型单晶制绒硅上制备了不同厚度的AlOx薄膜.通过研究AlOx薄膜厚度对样品的反射率、少数载流子寿命以及电容-电压特性的影响,发现沉积32 nm的AlOx薄膜样品具有最好的钝化效果.另外,通过计算Si/AlOx界面处的固定电荷密度和缺陷态密度,发现32 nm厚的AlOx薄膜样品具有最低的缺陷态密度.系统研究了单晶硅材料的表面钝化机制,给出了影响样品载流子寿命的根本来源.