点击次数：

论文类型：期刊论文

发表时间：2020-01-01

发表刊物：半导体光电

卷号：41

期号：2

页面范围：169-172

ISSN号：1001-5868

关键字：时间延时积分;CMOS;光晕;横向抗晕栅;满阱容量

摘要：时间延时积分CMOS图像传感器(TDI-CIS)具有优良的微光探测能力,可应用于航空探测及卫星遥感等领域.然而,在入射光强较强时,TDI-CIS容易出现光晕(Blooming)现象,影响观测效果.首先分析了光晕产生的机理;然后基于两种传统的抗晕结构,设计出一种具有沿垂直方向布局的长方形横向抗晕栅的TDI-CIS;通过成像实验发现横向抗晕栅极电压与抗晕效果及满阱容量(FWC)之间呈负相关关系;最后通过实验得到所设计TDI-CIS的最优抗晕栅极电压值为2.1V.