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个人信息Personal Information
教授
博士生导师
硕士生导师
性别：男
毕业院校：吉林大学
学位：博士
所在单位：集成电路学院
学科：电路与系统. 微电子学与固体电子学
办公地点：信息楼207
联系方式：电话：13180826212
电子邮箱：cyc@dlut.edu.cn
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等离子MOCVD系统生长ZnO薄膜掺N2和掺NH3特性比较
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论文类型：期刊论文
发表时间：2004-04-30
发表刊物：发光学报
收录刊物：PKU、ISTIC、CSCD
卷号：25
期号：2
页面范围：143-146
ISSN号：1000-7032
关键字：金属有机化学气相沉积;氧化锌;掺杂
摘要：利用MOCVD方法生长了高质量的ZnO薄膜材料,分别通过N2和NH3对c面和R面蓝宝石衬底上生长的ZnO薄膜材料进行了掺杂行为研究.掺N2时,X射线衍射半峰全宽仅为0.148°,室温光荧光发光峰位于3.29eV,半峰全宽～100meV,电阻率由0.65 Ω·cm增大到5×l04Ω·cm.掺NH3时,X射线衍射峰半峰全宽0.50°,样品为弱p型,电阻率为102Ω·cm,载流子浓度为1.69×1016 cm-3.同时我们还观察到弱p型材料很容易退化成n型高阻材料.