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副教授
硕士生导师
性别：男
毕业院校：吉林大学
学位：博士
所在单位：光电工程与仪器科学学院
办公地点：大连理工大学 厚望楼 401室
电子邮箱：jianxundai@dlut.edu.cn
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Recess-free thin-barrier AlGaN/GaN Schottky barrier diodes with ultra-low leakage current: Experiment and simulation study
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发表时间：2024-05-31
发表刊物：Applied Physics Letters
卷号：124
期号：20
ISSN号：0003-6951
关键字：Aluminum gallium nitride; Anodes; Cathode distances; Cathodes; Economic and social effects; Electrical control; Etching; Experiment study; III-V semiconductors; Leakage currents; Low-leakage current; Pinchoff; Schottky barrier diodes; Simulation studies; Thin barriers; Trade off; Turn-on voltages; Ultra low leakages