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个人信息Personal Information
副教授
硕士生导师
性别：男
毕业院校：吉林大学
学位：博士
所在单位：光电工程与仪器科学学院
办公地点：大连理工大学 厚望楼 401室
电子邮箱：jianxundai@dlut.edu.cn
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Improved breakdown voltage and dynamic Ron characteristics in normally-off GaN-based HEMTs featuring fully-recessed and bilayer-dielectric gate structure
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发表时间：2024-10-31
发表刊物：Journal of Physics D: Applied Physics
页面范围：137633
ISSN号：1361-6463