Release Time:2019-03-10  Hits:

Indexed by: Journal Article

Date of Publication: 2007-01-01

Journal: 原子能科学技术

Included Journals: ISTIC、PKU

Volume: 41

Issue: z1

Page Number: 436-440

ISSN: 1000-6931

Key Words: 电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积;多晶硅薄膜;低温生长

Abstract: 采用电子回旋共振等离子增强化学气相沉积(ECR-PECvD)方法,以SiH4和H2为气源,在普通玻璃衬底上沉积多晶硅薄膜.利用XRD、Raman光谱和TEM研究了衬底温度、氢气流量和微波功率对多晶硅薄膜结构的影响.结果表明,制得的多晶硅薄膜多以(220)取向择优生长,少数条件下会呈现(111)择优取向.当衬底温度为300℃、H2流速为25 mL/min、微波功率为600 W时,多晶硅薄膜结晶状态最好,且呈最佳的(220)取向.