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Indexed by: Journal Article

Date of Publication: 2002-02-25

Journal: 电子显微学报

Included Journals: ISTIC、PKU

Volume: 21

Issue: 1

Page Number: 43-51

ISSN: 1000-6281

Key Words: β-FeSi2;半导体薄膜;金属硅化物;离子注入;透射电子显微镜

Abstract: 本文利用透射电子显微镜对离子注入合成的β-FeSi2和β-Fe(C,Si)2薄膜进行了对比研究.电镜观察结果表明,选择C作为掺杂元素,能够得到界面平直、厚度均一的高质量β相薄膜,晶粒得到细化,β-FeSi2层稳定性提高.尤其在60kV、4×1017ions/cm2条件下注入直接形成非晶,在退火后会晶化为界面平滑、厚度均匀的β-FeSi2薄膜.因此从微结构角度考虑,引入C离子有益于提高β-FeSi2薄膜的质量.