董闯
个人信息Personal Information
教授
博士生导师
硕士生导师
性别:男
毕业院校:法国洛林国立综合理工学院
学位:博士
所在单位:材料科学与工程学院
电子邮箱:dong@dlut.edu.cn
扫描关注
Ti稳定N的三元Cu合金薄膜
点击次数:
论文类型:期刊论文
发表时间:2016-09-15
发表刊物:稀有金属材料与工程
收录刊物:SCIE、EI、PKU、ISTIC、CSCD、Scopus
卷号:45
期号:09
页面范围:2366-2372
ISSN号:1002-185X
关键字:Cu合金;薄膜;磁控溅射;硬度;电阻率
摘要:由于铜与氮不能生成稳定的化合物,使得渗氮的方法不能用于提高铜的表面硬度。通过在Cu中添加能够稳定N的合金元素Ti,探索提高Cu表面硬度的有效方式。用磁控溅射法在Si(100)基体上制备不同Ti、N含量的Cu膜,对三元Cu合金膜进行微结构、硬度以及电阻率的分析。结果表明,加入Ti可以使N以钛氮化合物的形式稳定存在于Cu薄膜中,合金薄膜的硬度比纯Cu膜(~3.5 GPa)有了很大的提高,特别是Cu_(80.2)Ti_(9.8)N_(10.0)薄膜在400℃/1 h退火后硬度依然为5.4 GPa。Ti、N含量高的Cu_(81.2)Ti_(9.9)N_(8.9)薄膜的电阻率(~660μ?·cm)比Cu_(88.5)Ti_(4.3)N_(7.2)薄膜(~123μ?·cm)高很多,但两薄膜的硬度却都约为5.2 GPa,所以,薄膜中并不是Ti、N含量越高性能越好,因此应该合理控制各组元含量。