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论文类型：期刊论文

发表时间：2002-01-01

发表刊物：电子显微学报

收录刊物：PKU、ISTIC、CSCD

卷号：21

期号：1

页面范围：43-51

ISSN号：1000-6281

关键字：半导体薄膜; 金属硅化物; 离子注入; 透射电子显微镜

摘要：本文利用透射电子显微镜对离子注入合成的beta-FeSi_2和beta-Fe(C,Si)_2薄膜进行了对比研究。电镜观察结果表明，选择C作为掺杂
   无素，能够得到界面平直、厚度均一的高质量beta相薄膜，晶粒得到细化，beta-FeSi_2层稳定性提高。尤其在60kV、4 * 10~(17)
   ions/cm~2条件下注入直接形成非晶，在退火后会晶化为界面平滑、厚度均匀的beta-FeSi_2薄膜。因此从微结构角度考虑，引入C离子有益于
   提高beta-FeSi_2薄膜的质量。