董闯
个人信息Personal Information
教授
博士生导师
硕士生导师
性别:男
毕业院校:法国洛林国立综合理工学院
学位:博士
所在单位:材料科学与工程学院
电子邮箱:dong@dlut.edu.cn
扫描关注
线形同轴耦合微波等离子体诊断及硅薄膜制备
点击次数:
论文类型:期刊论文
发表时间:2015-01-09
发表刊物:哈尔滨工程大学学报
收录刊物:EI、PKU、ISTIC、CSCD、Scopus
卷号:36
期号:3
页面范围:423-426
ISSN号:1006-7043
关键字:线形同轴耦合微波等离子体;等离子体诊断;电子密度;多晶硅薄膜;拉曼;XRD
摘要:开发了一种新型线形同轴耦合大面积微波等离子体源,针对该新型等离子体源放电空间等离子密度及分布的不明确性,利用朗缪尔单探针法研究了不同放电参数下该等离子体源等离子体密度及空间分布情况。以微波功率,氢氩总流量(氢氩流量比为3∶1)和距石英管的距离Z为3个因素设计正交实验探究了宏观放电参量对等离子体参数的影响。测试结果表明该型等离子体源的电子密度均在1010 cm-3以上。其次,诊断了在距石英管Z为14 cm处,等离子体参数沿空间水平的分布情况,探究薄膜的最佳沉积区域。最后,根据等离子诊断情况进行硅薄膜的沉积,由XRD结果表明薄膜为多晶结构,拉曼光谱显示沉积硅薄膜晶化率均在92%以上,沉积速率在8 nm/min。