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论文类型：期刊论文

发表时间：2007-01-01

发表刊物：原子能科学技术

收录刊物：PKU、ISTIC

卷号：41

期号：z1

页面范围：436-440

ISSN号：1000-6931

关键字：电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积;多晶硅薄膜;低温生长

摘要：采用电子回旋共振等离子增强化学气相沉积(ECR-PECvD)方法,以SiH4和H2为气源,在普通玻璃衬底上沉积多晶硅薄膜.利用XRD、Raman光谱和TEM研究了衬底温度、氢气流量和微波功率对多晶硅薄膜结构的影响.结果表明,制得的多晶硅薄膜多以(220)取向择优生长,少数条件下会呈现(111)择优取向.当衬底温度为300℃、H2流速为25 mL/min、微波功率为600 W时,多晶硅薄膜结晶状态最好,且呈最佳的(220)取向.