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论文类型：期刊论文

发表时间：2002-01-01

发表刊物：真空科学与技术学报

收录刊物：PKU、ISTIC

卷号：22

期号：5

页面范围：349-356

ISSN号：1672-7126

关键字：β-FeSi2;半导体薄膜;金属硅化物;离子注入;透射电子显微镜

摘要：本文利用X射线衍射和透射电子显微镜对离子注入合成的β-FeSi2和β-Fe(C,Si)2薄膜进行了研究.对掺杂C前后样品的对比研究表明,选择C作为掺杂元素,能够得到界面平直、厚度均一的高质量β相薄膜,晶粒得到细化,β-FeSi2层稳定性提高,因此从微结构角度考虑,引入C离子对于提高β-FeSi2薄膜的质量是很有益处的.进一步进行光学吸收表征,发现C离子的引入对β层的Edg值没有产生明显影响.所以综合来说C离子的引入有利于得到高质量的β-FeSi2薄膜.用掠入射X射线衍射和Celref程序精确地测量薄膜的晶格常数,当C/Fe的剂量比为0.5%时,尽管C的原子半径比Si的小,β相晶格却膨胀了,这可能是由于间隙固溶的原因.进一步增加掺杂量到一定的程度时,单胞体积会缩小,这是由于形成了置换固溶体,碳置换了β单胞中的部分硅.