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论文类型：期刊论文

发表时间：2001-12-08

发表刊物：半导体学报

收录刊物：EI、Scopus

卷号：22

期号：12

页面范围：1507-1515

ISSN号：0253-4177

关键字：β-FeSi2;半导体薄膜;金属硅化物;离子注入;透射电子显微镜

摘要：采用离子注入方法制备β-FeSi2薄膜,选择C作为掺杂元素,得到了β-FeSi2硅化物层与基体间的界面平直、厚度均一的高质量薄膜.经透射电镜分析可知,引入C离子后硅化物层的微结构向有利于薄膜质量的方向发展,晶粒得到细化,β-FeSi2层稳定性提高.从微结构角度考虑,引入C离子对于提高β-FeSi2薄膜的质量是很有益处的.进一步进行光学吸收表征,发现C离子的引入对β-FeSi2层的Egd值没有产生不良影响.讨论了Egd值的影响因素,如制备方法、工艺参数、基体取向、掺杂离子种类、掺杂离子数量、退火温度等等,解释了文献报道的不同Egd值.