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论文类型：期刊论文

发表时间：2002-02-25

发表刊物：电子显微学报

收录刊物：PKU、ISTIC

卷号：21

期号：1

页面范围：43-51

ISSN号：1000-6281

关键字：β-FeSi2;半导体薄膜;金属硅化物;离子注入;透射电子显微镜

摘要：本文利用透射电子显微镜对离子注入合成的β-FeSi2和β-Fe(C,Si)2薄膜进行了对比研究.电镜观察结果表明,选择C作为掺杂元素,能够得到界面平直、厚度均一的高质量β相薄膜,晶粒得到细化,β-FeSi2层稳定性提高.尤其在60kV、4×1017ions/cm2条件下注入直接形成非晶,在退火后会晶化为界面平滑、厚度均匀的β-FeSi2薄膜.因此从微结构角度考虑,引入C离子有益于提高β-FeSi2薄膜的质量.