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论文类型：期刊论文

发表时间：2014-09-15

发表刊物：真空科学与技术学报

收录刊物：EI、PKU、ISTIC、CSCD

卷号：34

期号：9

页面范围：950-955

ISSN号：1672-7126

关键字：立方氮化硼薄膜;B-C-N过渡层;应力;X射线光电子能谱

摘要：通过工艺对比,考察了过渡层在降低立方氮化硼薄膜内应力方面的作用,并研究了薄膜的力学性能.结果表明B-C-N三元过渡层的添加有效地降低了薄膜内应力.X射线光电子能谱结果显示在B-C-N三元过渡层内形成了成分的逐渐变化,同时各元素间杂化成键.过渡层的添加使得在硅片基底上成功制备了性能稳定的立方氮化硼厚膜.