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董闯
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专利
一种可调制带隙宽度的Fe-Cr-Si系三元非晶薄膜及其制备方法
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第一作者:
李晓娜
发明设计人:
郑月红,董闯
申请号:
CN201310016602.1
授权日期:
2013-01-17
授权号:
CN103074553A
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