S5kTcTbqjDEn6rQAndyn7uRpk7Twec4ZS7rdjNQSThGVi8FToGCdFbJrcSos
  • 其他栏目

    韩方鑫

    • 工程师    
    • 性别：男
    • 毕业院校：大连理工大学
    • 学位：硕士
    • 所在单位：公共基础学院
    • 学科：材料学. 电路与系统
    • 办公地点：C09 4F
    • 电子邮箱：

    访问量：

    开通时间：..

    最后更新时间：..

    论文成果

    当前位置: 中文主页 >> 科学研究 >> 论文成果
    Qg Based Ultra-Fast SiC MOSFET Short-Circuit Detection with Immunity to Condition Variations

    点击次数：

      发布时间：2025-10-26

      发表时间：2025-10-24

      发表刊物：Lecture Notes in Electrical Engineering

      卷号：1408 LNEE

      页面范围：391-397

      ISSN号：1876-1100


    辽ICP备05001357号 地址：中国·辽宁省大连市甘井子区凌工路2号 邮编：116024
    版权所有：大连理工大学
  • 大连理工大学 | 登录