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Indexed by:期刊论文
Date of Publication:1997-01-01
Journal:大连理工大学学报
Included Journals:PKU、CSCD
Volume:37
Issue:2
Page Number:166
ISSN No.:1000-8608
Key Words:砷化镓; 杂质/扩散机制
Abstract:针对杂质在ＧａＡｓ中扩散机制这一基础研究和技术应用中急需解决的问题，主要介绍了应用广泛的ｎ型杂质Ｓｉ、Ｓｎ，ｐ型杂质Ｂｅ、Ｚｎ、Ｍｇ的几种可能扩散机制以及国际上有关这些杂质研究的进展情况．从目前的研究状况可以得出这样的结论：在ＧａＡｓ中，Ｂｅ、Ｚｎ、Ｍｇ等ｐ型杂质是以置换填隙机制扩散的，Ｓｉ、Ｓｎ等ｎ型杂质是以替位机制扩散的
