Release Time:2019-03-10  Hits:

Indexed by: Journal Article

Date of Publication: 1997-01-01

Journal: 大连理工大学学报

Included Journals: CSCD、PKU

Volume: 37

Issue: 2

Page Number: 166

ISSN: 1000-8608

Key Words: 砷化镓; 杂质/扩散机制

Abstract: 针对杂质在ＧａＡｓ中扩散机制这一基础研究和技术应用中急需解决的问题，主要介绍了应用广泛的ｎ型杂质Ｓｉ、Ｓｎ，ｐ型杂质Ｂｅ、Ｚｎ、Ｍｇ的几种可能扩散机制以及国际上有关这些杂质研究的进展情况．从目前的研究状况可以得出这样的结论：在ＧａＡｓ中，Ｂｅ、Ｚｎ、Ｍｇ等ｐ型杂质是以置换填隙机制扩散的，Ｓｉ、Ｓｎ等ｎ型杂质是以替位机制扩散的