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Indexed by:期刊论文
Date of Publication:1996-12-15
Journal:半导体杂志
Issue:04
Page Number:24-27
ISSN No.:1005-3077
Key Words:离子注入;扩散;空位机制
Abstract:介绍了硅在砷化镓扩散的几种模型。对高剂量离子注入情况,提出了自己的模型,并对硅扩散行为进行了模拟。
Pre One:轴向磁场中电弧的螺旋不稳定性
Next One:求解脱硫脱硝中化学反应动力学方程的Monte Carlo方法
