Release Time:2019-03-10  Hits:

Indexed by: Journal Article

Date of Publication: 1996-12-15

Journal: 半导体杂志

Issue: 04

Page Number: 24-27

ISSN: 1005-3077

Key Words: 离子注入;扩散;空位机制

Abstract: 介绍了硅在砷化镓扩散的几种模型。对高剂量离子注入情况,提出了自己的模型,并对硅扩散行为进行了模拟。