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Indexed by:期刊论文
Date of Publication:1995-12-30
Journal:半导体杂志
Issue:04
Page Number:37-40+24
ISSN No.:10053077
Key Words:间隙-替换机制;dissociative机制;kick-out机制
Abstract:本文介绍并评价了杂质Zn在GaAs中的两种比较新的间隙一替换扩散机制:dissociative和kick-out机制,讨论了今后的研究方向。
Pre One:求解脱硫脱硝中化学反应动力学方程的Monte Carlo方法
Next One:带电粒子在电子束法脱硝中的行为及作用