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论文类型：会议论文

发表时间：2013-08-15

页面范围：75-75

关键字：托卡马克;HL-2A;等离子体电流;第一壁;器壁;磁扰;产生率;相机拍摄;芯部;模拟输入;

摘要：引言托卡马克等离子体大破裂会导致等离子体能量瞬间消失,除了在器壁上产生巨大的热能和机械力以外,大破裂还会产生具有几十至上百兆电子伏特能量的逃逸电子,这些高能逃逸电子与装置第一壁发生碰撞,使其严重受损,导致装置寿命的缩短。研究表明,随着装置尺寸、等离子体电流等参数的增大,逃逸电子对器壁的危害将加剧,因此,对逃逸电子的产生、演化以及抑制的实验和模拟研究成为了国内外聚变领域的重要研究课题。