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教授
博士生导师
硕士生导师
性别：男
毕业院校：英国,赫尔大学
学位：博士
所在单位：物理学院
学科：等离子体物理
办公地点：物理系楼301
电子邮箱：jsun@dlut.edu.cn
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离子注人硅在砷化镓中的扩散模型
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论文类型：期刊论文
发表时间：1996-12-15
发表刊物：半导体杂志
期号：04
页面范围：24-27
ISSN号：1005-3077
关键字：离子注入;扩散;空位机制
摘要：介绍了硅在砷化镓扩散的几种模型。对高剂量离子注入情况,提出了自己的模型,并对硅扩散行为进行了模拟。