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论文类型：期刊论文

发表时间：2012-02-10

发表刊物：物理学报

收录刊物：PKU、ISTIC、CSCD

卷号：61

期号：5

页面范围：319-325

ISSN号：1000-3290

关键字：分子动力学方法;H同位素;石墨

摘要：采用分子动力学方法研究了载能H同位素原子与石墨晶体碰撞的同位素效应.碳氢系统的强共价键作用和石墨层间的弱van der Waals力分别用REBO和Ito半经验势函数来描述.研究发现：随着入射原子质量的增加,上表面吸附几率和反射几率的峰值都会向高能区移动;相比于H,~2H入射原子,~3H入射原子具有较高的吸附几率—包括上表面吸附和内部吸附;穿透石墨晶体,~2H,~3H原子所需的能量较高;原子质量和原子入射能量都会影响入射粒子与不同石墨层之间的能量传递过程.这些结果对理解碳基材料的~3H滞留机制有重要意义.