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论文类型：会议论文

发表时间：2009-07-20

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关键字：PIC-MCC;偏滤器;波动;低混杂;伯恩斯坦模

摘要：在托卡马克聚变装置中,高能粒子流对面向等离子体的器壁的侵蚀研究是一个重要的课题,这些侵蚀直接影响偏滤器寿命、杂质的输运等。为了降低侵蚀率,人们开始研究各种位形的偏滤器,想要更好的深入研究这些侵蚀,偏滤器等离子体的研究必不可少。本工作采用粒子模拟PIC-MCC法研究偏滤器等离子体的特性。研究表明,在偏滤器等离子体内将会产生一些静电波,使用傅里叶变换分析波的频谱,发现这些静电波是由不同频率的波组成的,改变了磁场的强度和角度研究这些波的特性,发现低频波符合线性理论中的低混杂波,而一系列高频波同电子波恩斯坦模相对应。特别是低混杂波,电势波动幅值达到百伏以上。这些波作用于等离子体中的带电粒子,可以有效调制注入器壁的能流,使能流具有波动性,将程序结合计算侵蚀率的经验公式,我们发现能流直接影响偏滤器侵蚀率,使得侵蚀速率具有很大的波动性。而侵蚀得到的杂质进入偏滤器等离子体区域将会反过来影响等离子特性。