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论文类型：期刊论文
发表时间：2014-08-23
发表刊物：物理学报
收录刊物：SCIE、EI、PKU、ISTIC、CSCD
卷号：63
期号：16
页面范围：424-429
ISSN号：1000-3290
关键字：化学气相沉积;磷掺杂ZnO;纳米材料;衬底位置
摘要：采用化学气相沉积方法,在无催化剂的条件下,通过改变衬底位置在Si(100)衬底上制备出了高取向的磷掺杂ZnO纳米线和纳米钉.测试结果表明,当衬底位于反应源上方1.5 cm处时,所制备的样品为钉状结构,而当衬底位于反应源下方1 cm处时样品为线状结构.对不同形貌磷掺杂ZnO纳米结构的生长机理进行了研究.此外,在ZnO纳米结构的低温光致发光谱中观测到了一系列与磷掺杂相关的受主发光峰.还对磷掺杂ZnO纳米结构/n-Si异质结I-V曲线进行了测试,结果表明,该器件具有良好的整流特性,纳米线和纳米钉异质结器件的开启电压分别为4.8和3.2 V.