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论文类型：期刊论文
发表时间：2015-11-09
发表刊物：物理学报
收录刊物：Scopus、SCIE、EI、PKU、ISTIC、CSCD
卷号：64
期号：24
页面范围：403-407
ISSN号：1000-3290
关键字：化学气相沉积;SnO_2薄膜;Sb掺杂;同质p-n结
摘要：采用化学气相沉积方法,利用Sb_2O_3/Sn O作为源材料,在蓝宝石衬底上制备出不同Sb掺杂量的SnO_2薄膜,并在此基础上制作出p-SnO_2:Sb/n-SnO_2同质p-n结器件.研究表明,随着Sb含量的增加,样品表面变得平滑,晶粒尺寸逐渐增大,且晶体质量有所改善,发现少量Sb的掺入可以起到表面活化剂的作用.Hall测量结果证实适量Sb的掺杂可以使SnO_2呈现p型导电特性,当Sb_2O_3/SnO的质量比为1:5时,其电学参数为最佳值.此外,p-SnO_2:Sb/n-SnO_2同质p-n结器件展现出良好的整流特性,其正向开启电压为3.4 V.