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论文类型：期刊论文
发表时间：2011-01-01
发表刊物：材料导报
收录刊物：PKU、ISTIC、CSCD
卷号：25
期号：2上
页面范围：36-42
ISSN号：1005-023X
关键字：Cu掺杂ZnO; 光致发光; 带边发射; 可见光发射
摘要：ZnO是宽禁带半导体, 室温下禁带宽度为3.37eV, 激子束缚能高达60meV, 是制备光电器件的优选材料.然而,
   p型掺杂仍是亟待解决的问题.IB元素Cu被认为在ZnO中产生受主能级,
   可以实现ZnO0的p型掺杂.综述了各种制备方法、制备条件和激发条件下得到的Cu掺杂ZnO薄膜、纳米线和纳米棒的光致发光谱和机理,
   总结出Cu掺杂ZnO光致发光谱的带边发射会因为Cu的掺杂强度降低, 或出现发射中心红移等现象.可见光区域由于
   Cu掺杂会产生新的蓝光、绿光和橙光发射峰, 蓝光发射峰可能与Cu2+ -Cu+跃迁或VZn和Zni有关; 绿光发射峰可能与Cu杂质或VO
   -VZn跃迁有关, Cu掺杂还可能引入非辐射复合的点缺陷中心; 橙光发射峰则可能由于Cu杂质受主能级向深施主能级跃迁而产生